操盘指南:5月28日大陆内存走势报告

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作者: dram.com.cn

CNETNews.com.cn

10008-05-28 12:41:28

关键词: 内存 模组 UTT DDR2 NAND Flash

  今日DDR2主要品牌模组呈稳定偏软走势,需求持续低迷,商家普遍维持场外观望,成交稀少。尾市主要品牌模组1GB DDR2-667价格收于125.00-144.00元之间。DDR1品牌模组价格受外围颗粒价格继续向下调整影响,呈轻微下滑走势,需求迟缓,交易沉闷。尾市主要品牌模组DDR1000 1GB价格收于110.00-135.00元之间。

  DDR1非品牌模组同样呈小幅下跌走势,市场供需不均衡,商家交易迟钝。尾市hynix DDR1000 512MB/1GB价格收于:104.00/199.00元附近。

  DDR2 UTT方面,需求依然清淡,市场平静,贸易活动进行缓慢,尾市UTT DDR2 1GB/2GB价格分别收于113.00和240.00元附近。

  今日外围市场DDR1000 HYNIX 64*8颗粒价格继续小幅下跌走势,尾市价格收于1.62美元附近。UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格呈小幅下跌走势,全天这麼明显的交易行为。尾市UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格分别收于1.00和 1.97美元附近。NAND FLASH方面,今日整体价格继续昨日的下跌走势。市场供应富有,买家操作审慎,开出的目标价位也相对较低,全天成交有限。Samsung 4GB(K9G)/8Gb(K9G)/16GB(K9L)价格分别收在¥16.5-19.5/21.1000-22.15/35.45-35.1000之间;HYNIX 4Gb(ut)/4Gb(uf)/8Gb (UU)/16Gb(uu)价格分别在¥11.85-12.3/26.5-27.5/20.9 -22.00/35.00-36.2之间。